A Samsung anunciou que agora está produzindo em massa o primeiro módulo incorporado Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) de 1TB do mundo para telefones, e o momento do lançamento sugere que o chip de armazenamento pode acabar no Galaxy S10. A Samsung observou que o módulo em si é do mesmo tamanho que o chip de 512 GB encontrado no Galaxy Note 9.
A Samsung consegue isso usando a tecnologia V-NAND, onde as células NAND são empilhadas verticalmente para maximizar a densidade e a eficiência. A Samsung está divulgando velocidades de leitura sequenciais de até 1000 Mbps e velocidades de gravação de 260 Mbps, o que deve permitir ao módulo de armazenamento oferecer gravação de vídeo contínua, mesmo a 960fps.
De acordo com o vice-presidente de marketing de memória da Samsung, Cheol Choi, o módulo eUFS de 1 TB terá um papel fundamental em "levar uma experiência de usuário mais parecida com um notebook para a próxima geração de dispositivos móveis". O CEO da Samsung, DJ Koh, disse em uma entrevista no início desta semana que o Galaxy S10 atenderá às expectativas dos clientes, e oferecer armazenamento interno de 1 TB é uma maneira de fazer isso.
