A Samsung LSI atualmente fabrica o Snapdragon 820 da Qualcomm no seu nó de segunda geração LPP FinFET de 14nm, e parece que a empresa sul-coreana assinou um contrato para o Snapdragon 830 de 10nm do próximo ano. Isso está de acordo com o ET News da Coréia, que afirma que o SoC será usado no Galaxy S8. A Samsung provavelmente manterá a mesma estratégia que seguiu para o Galaxy S7 e S7 edge, em que os modelos dos EUA são equipados com o Snapdragon 830, enquanto a versão global executa o seu Exynos 8895.
Como o Snapdragon 830, o Exynos 8895 da Samsung também será baseado no processo de fabricação de 10 nm. A ET News também escreve que a Qualcomm e a Samsung estão trabalhando no desenvolvimento de uma tecnologia FoPLP (Fan-out Panel Level Package) que elimina a necessidade de uma placa de circuito impresso para o substrato da embalagem que será usado no Snapdragon 830 e Exynos 8895.
Não sabemos muito sobre o SoC, mas parece que a Samsung está procurando atingir frequências muito mais altas ao passar para 10 nm. Um vazamento do Exynos 8895 de agosto sugere que a Samsung está atingindo 4GHz em seu núcleo Mongoose personalizado e atingindo 2, 7 GHz no núcleo Cortex A53. Será interessante ver o tipo de ganho de desempenho que a Qualcomm alcança com a implementação da CPU Kryo.
